Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR este soluția ideală pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Producătorul DIOTEC SEMICONDUCTOR a dezvoltat acest tranzistor utilizând tehnologia avansată SiC, care asigură o eficiență superioară în gestionarea energiei. Cu o putere disipată de 340W și un curent de drenă de 85A, acest tranzistor este optimizat pentru utilizarea în medii cu cerințe electrice exigente.
Montarea se realizează prin tehnologia THT, iar carcasă TO247-4 garantează o integrare ușoară în diverse aplicații. Subtipul ambalajului este tub, facilitând manipularea și depozitarea. Acest tranzistor prezintă caracteristici semiconductoare avansate, inclusiv un terminal Kelvin pentru măsurători precise. Curentul de drenă în impuls ajunge până la 250A, iar tensiunea drenă-sursă atinge 1,2kV, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de înaltă tensiune.
Polarizarea unipolară și rezistența în timpul funcționării de doar 28mΩ asigură eficiență energetică maximă. Tensiunea poartă-sursă variază între -4 și 18V, iar încărcătura poartă este de 269nC, ceea ce contribuie la performanța excepțională a acestui tranzistor N-MOSFET îmbogățit. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru aplicații care necesită putere și fiabilitate.