Categorii
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 340W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR

DIF120SIC022-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
278,71 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

79.84 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR este soluția ideală pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Producătorul DIOTEC SEMICONDUCTOR a dezvoltat acest tranzistor utilizând tehnologia avansată SiC, care asigură o eficiență superioară în gestionarea energiei. Cu o putere disipată de 340W și un curent de drenă de 85A, acest tranzistor este optimizat pentru utilizarea în medii cu cerințe electrice exigente.

Montarea se realizează prin tehnologia THT, iar carcasă TO247-4 garantează o integrare ușoară în diverse aplicații. Subtipul ambalajului este tub, facilitând manipularea și depozitarea. Acest tranzistor prezintă caracteristici semiconductoare avansate, inclusiv un terminal Kelvin pentru măsurători precise. Curentul de drenă în impuls ajunge până la 250A, iar tensiunea drenă-sursă atinge 1,2kV, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de înaltă tensiune.

Polarizarea unipolară și rezistența în timpul funcționării de doar 28mΩ asigură eficiență energetică maximă. Tensiunea poartă-sursă variază între -4 și 18V, iar încărcătura poartă este de 269nC, ceea ce contribuie la performanța excepțională a acestui tranzistor N-MOSFET îmbogățit. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru aplicații care necesită putere și fiabilitate.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIF120SIC022-DIO
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 340W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 250A
Polarizare unipolar
Curent drenă 85A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 28mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 269nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: