Categorii
Tranzistor N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ - Modul de putere eficient energiei | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ - Modul de putere eficient energiei | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ - Modul de putere eficient energiei

IXFX230N20T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
182,77 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

55.81 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Descoperiți performanța excepțională a Tranzistorului N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ de la IXYS, soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată. Proiectat pentru a oferi eficiență energetică maximă, acest tranzistor utilizează tehnologia de ultimă generație a semiconductorilor, garantând o disipare a puterii de 1670W. Cu o capacitate de curent drenă de 230A și o tensiune drenă-sursă de 200V, produsul asigură o performanță robustă în condiții exigente.

Carcasa PLUS247™ facilitează o montare ușoară prin tehnologia THT, iar ambalajul în tub protejează integritatea produsului în timpul transportului. Datorită caracteristicilor sale avansate, precum rezistența în timpul funcționării de doar 7,5mΩ și încărcătura de poartă de 358nC, acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale și comerciale, unde eficiența energetică și fiabilitatea sunt esențiale.

Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură o operare stabilă și eficientă, făcând din acest N-MOSFET alegerea perfectă pentru inginerii care caută soluții de înaltă performanță. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ și transformați-vă aplicațiile de putere într-o realitate eficientă și de încredere.
Detalii ale produsului
118 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFX230N20T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1670W
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 230A
Tensiune drenă-sursă 200V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 358nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: