Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 230A 650W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 230A 650W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 230A 650W TO247-3

IXFH230N10T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
82,11 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 100V 230A 650W TO247-3 82ns este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a puterii. Acest tranzistor este fabricat de către producătorul de renume IXYS și este disponibil într-un ambalaj tubular pentru o montare ușoară pe plăci cu montare prin găuri. Carcasa TO247-3 oferă o protecție excelentă împotriva suprasarcinilor și asigură o durabilitate sporită.

Cu o putere disipată de 650W și o rezistență în timpul funcționării de doar 4,7mΩ, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini semnificative fără să se supraîncălzească. Caracteristicile elementelor semiconductoare thrench gate power mosfet și polarizarea unipolară îl fac potrivit pentru aplicații de putere înalte.

Cu un curent de drenaj de 230A și o tensiune drenaj-sursă de 100V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în condiții de funcționare intense. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 250nC asigură o comutare rapidă și eficientă a dispozitivului.

N-MOSFET-ul IXYS este un produs fiabil, cu un timp de restabilire rapid de doar 82ns, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Alegeți acest tranzistor pentru o soluție de putere de încredere și performantă în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
7 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFH230N10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 650W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 230A
Tensiune drenă-sursă 100V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 250nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 82ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: