Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 18A 96W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 18A 96W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 18A 96W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 18A 96W TO247

IMW65R072M1HXKSA1
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
111,37 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

37.92 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 650V 18A Idm: 69A 96W TO247, IMW65R072M1HXKSA1 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de încredere, potrivit pentru diverse aplicații electronice. Cu o putere disipată de 96W și un curent de drenă în impuls de 69A, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de funcționare variate. Carcasa TO247 și montarea THT fac acest tranzistor ușor de integrat în diferite tipuri de circuite. Tehnologia SiC asigură o durabilitate și eficiență superioare, iar rezistența de 94mΩ în timpul funcționării garantează o funcționare stabilă și fiabilă. Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și tensiune poartă-sursă cuprinsă între -5...23V, acest tranzistor este versatil și potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit completează caracteristicile excelente ale acestui tranzistor N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES.
Detalii ale produsului
25 Produse

Fisa tehnica

Referință IMW65R072M1HXKSA1
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 96W
Montare THT
Carcasă TO247
Curent de drenă în impuls 69A
Polarizare unipolar
Curent drenă 18A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă -5...23V
Rezistenţă în timpul funcţionării 94mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie CoolSiC™
SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: