Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 97A 230W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 97A 230W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 97A 230W TO220AB

IRFB4410ZPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
19,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 97A 230W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv puternic și eficient, ideal pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 230W și poate opera la o tensiune drenă-sursă de 100V. Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 9mΩ, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și constante.

Curentul drenă de 97A și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de putere medie și mare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 83nC asigură o comutare rapidă și eficientă a tranzistorului.

Cu un subtip de ambalaj tub și o carcasă TO220AB, acest tranzistor este ușor de montat și integrat în diferite dispozitive electronice. Tehnologia HEXFET® utilizată în acest tranzistor garantează performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 97A 230W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate.
Detalii ale produsului
450 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB4410ZPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 230W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 97A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 83nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: