Descriere
Circuitul integrat de memorie DRAM 16Mb de la ALLIANCE MEMORY este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între 0 și 70°C, acest circuit integrat poate funcționa într-o gamă variată de medii. Montarea sa de tip SMD facilitează integrarea sa în diverse dispozitive electronice. Carcasa TSOP50 II asigură o protecție adecvată a componentelor interne.
Tensiunea de lucru de 3,3V face ca acest circuit integrat să fie eficient din punct de vedere energetic, fără a compromite performanța. Cu o capacitate de memorie de 16Mb, acest produs este ideal pentru aplicații care necesită stocare și acces rapid la date. Tipul de circuit integrat, memoria DRAM, asigură o funcționare fiabilă și rapidă.
Subtipul de memorie SDRAM și frecvența de sincronizare de 143MHz asigură o comunicare eficientă și rapidă între memoria internă și alte componente ale sistemului. Organizarea memoriei de 1Mx16bit permite stocarea și accesul la date într-un mod eficient. Tipul de interfață paralelă facilitează integrarea acestui circuit integrat în diverse aplicații.
Cu un timp de acces rapid de 5,4ns, acest circuit integrat oferă performanțe excelente și un timp de răspuns rapid în aplicațiile dumneavoastră. Alegeți circuitul integrat de memorie DRAM 16Mb de la ALLIANCE MEMORY pentru o funcționare fiabilă și performanțe de top în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
AS4C1M16S-7TCN |
Producător |
ALLIANCE MEMORY |
Temperatura de lucru |
0...70°C |
Subtip ambalaj |
tavă |
Tensiune de lucru |
3,3V |
Montare |
SMD |
Carcasă |
TSOP50 II |
memorie |
16Mb DRAM |
Tip circuit integrat |
memorie DRAM |
Subtip memorie |
SDRAM |
Frecvenţă sincronizare |
143MHz |
Organizare memorie |
1Mx16bit |
Tip interfaţă |
paralel |
Timp de acces |
5,4ns |
Fisiere asociate
Descarcari