Memorie DRAM 64Mb 200MHz TSOP54 II

ISSI prezintă IC: memorie DRAM 64Mb DRAM 1Mx16bitx4 200MHz 5ns TSOP54 II, un produs de înaltă performanță potrivit pentru diverse aplicații electronice. Acest circuit integrat de memorie DRAM oferă o capacitate de stocare de 64Mb și o organizare de 1Mx16bitx4, ceea ce îl face ideal pentru nevoile de stocare de date într-un mediu de lucru sincronizat la o frecvență de 200MHz.

TSOP54 II este carcasă compactă în care acest IC este montat, cu un subtip de ambalaj în tub pentru o manipulare ușoară și o instalare simplă, de tip SMD. Tensiunea de alimentare necesară pentru funcționarea optimă a acestui circuit integrat este de 3,3V DC, asigurând o eficiență energetică și o performanță stabilă.

Interfața paralelă a acestui IC facilitează integrarea sa într-o varietate de designuri electronice, iar timpul de acces rapid de 5ns asigură o funcționare fără întreruperi și o transfer rapid al datelor. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între 0 și 70°C, acest IC este potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale care necesită o memorie DRAM de încredere și performantă.