Categorii
Memorie DRAM 64Mb 3.3V 166MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 64Mb 3.3V 166MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 64Mb 3.3V 166MHz

AS4C4M16SA-6TCN
IC: memorie DRAM; 64MbDRAM; 4Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; 0÷70°C
21,25 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 64MbDRAM 4Mx16bit 3,3V 166MHz 5,4ns 0÷70°C de la ALLIANCE MEMORY este o soluție de încredere pentru cerințele dvs. de memorie. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între 0 și 70°C, acest circuit integrat SDRAM oferă performanțe excelente într-o varietate de medii. Montarea sa SMD și carcasa TSOP54 II îl fac ușor de integrat în diferite aplicații. Cu o tensiune de lucru de 3,3V, acest modul de memorie oferă o memorie fiabilă de 64Mb, având o frecvență de sincronizare de 166MHz. Organizarea memoriei de tip 4Mx16bit și tipul de interfață paralel asigură o comunicare eficientă, iar timpul de acces rapid de 5,4ns îl face ideal pentru aplicații sensibile la timp. Optați pentru IC: memorie DRAM de la ALLIANCE MEMORY pentru performanță și fiabilitate remarcabile.
Detalii ale produsului
86 Produse

Fisa tehnica

Referință AS4C4M16SA-6TCN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru 0...70°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 3,3V
Montare SMD
Carcasă TSOP54 II
memorie 64Mb DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie SDRAM
Frecvenţă sincronizare 166MHz
Organizare memorie 4Mx16bit
Tip interfaţă paralel
Timp de acces 5,4ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: