Categorii
Memorie DRAM 128Mb 3,3V 143MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 128Mb 3,3V 143MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 128Mb 3,3V 143MHz

AS4C8M16SA-7TCN
IC: memorie DRAM; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 3,3V; 143MHz; 5,4ns; tavă
28,91 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 128MbDRAM 2Mx16bitx4 3,3V 143MHz 5,4ns tavă de la ALLIANCE MEMORY este un circuit integrat de memorie DRAM de înaltă performanță. Proiectat cu atenție și precizie, acest produs oferă o memorie de 128Mb și o frecvență de sincronizare de 143MHz pentru o funcționare rapidă și eficientă. Cu o organizare de memorie de 2Mx16bitx4 și un timp de acces de 5,4ns, acest IC este ideal pentru aplicații care necesită o memorie fiabilă și rapidă. Cu o tensiune de lucru de 3,3V și o temperatură de operare cuprinsă între 0 și 70°C, acest produs poate fi montat ușor utilizând tehnologia SMD în carcasă TSOP54 II. Interfața paralelă asigură o comunicare eficientă între dispozitive. Alegeți IC: memorie DRAM 128MbDRAM 2Mx16bitx4 3,3V 143MHz 5,4ns tavă pentru o performanță superioară și fiabilitate în aplicațiile dvs.
Detalii ale produsului
451 Produse

Fisa tehnica

Referință AS4C8M16SA-7TCN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru 0...70°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 3,3V
Montare SMD
Carcasă TSOP54 II
memorie 128Mb DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie SDRAM
Frecvenţă sincronizare 143MHz
Organizare memorie 2Mx16bitx4
Tip interfaţă paralel
Timp de acces 5,4ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: