Categorii
Memorie DRAM 256Mb 16Mx16 3,3V 143MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 256Mb 16Mx16 3,3V 143MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 256Mb 16Mx16 3,3V 143MHz

AS4C16M16SA-7TCN
IC: memorie DRAM; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3,3V; 143MHz; 5,4ns; 0÷70°C
33,44 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 256MbDRAM 16Mx16bit 3,3V 143MHz 5,4ns 0÷70°C de la ALLIANCE MEMORY este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o memorie DRAM de înaltă performanță. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între 0 și 70°C, acest produs poate fi utilizat într-o gamă variată de medii. Montarea sa SMD permite o integrare ușoară în proiectele dvs. Carcasa TSOP54 II oferă protecție și durabilitate. Cu o tensiune de lucru de 3,3V și o frecvență sincronizare de 143MHz, această memorie DRAM oferă performanțe fiabile. Organizarea sa de 16Mx16bit și tipul de interfață paralel fac acest circuit integrat potrivit pentru aplicații complexe. Timpul de acces rapid de 5,4ns asigură o funcționare eficientă a sistemului dvs. ALLIANCE MEMORY este producătorul de încredere al acestui produs de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
234 Produse

Fisa tehnica

Referință AS4C16M16SA-7TCN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru 0...70°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 3,3V
Montare SMD
Carcasă TSOP54 II
memorie 256Mb DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie SDRAM
Frecvenţă sincronizare 143MHz
Organizare memorie 16Mx16bit
Tip interfaţă paralel
Timp de acces 5,4ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: