Circuitul integrat de memorie DRAM 64Mb de la ISSI este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acesta vine într-un subtip de ambalaj tub, fiind ideal pentru montare SMD. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între 0 și 70°C, acest circuit integrat TSOP86 II oferă performanțe excelente într-o varietate de medii de lucru. Cu o tensiune de alimentare de 3,3V DC, acesta este potrivit pentru diferite aplicații de consum redus de energie. Memoria de 64Mb DRAM oferă o frecvență de sincronizare de 166MHz, asigurând o viteză rapidă de acces la date. Organizarea memoriei de 512kx32bitx4 oferă o capacitate generoasă pentru stocarea informațiilor, în timp ce tipul de interfață paralel permite o comunicare eficientă cu alte componente. Cu un timp de acces de doar 6ns, acest circuit integrat DRAM este alegerea perfectă pentru aplicațiile sensibile la timp și performanță.