Categorii
Memorie DRAM 4Gb 256Mx16 1,35V 800MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 4Gb 256Mx16 1,35V 800MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 4Gb 256Mx16 1,35V 800MHz | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 4Gb 256Mx16 1,35V 800MHz

AS4C256M16D3LC-12BIN
IC: memorie DRAM; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1,35V; 800MHz; 13,75ns; tavă
88,86 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 4GbDRAM 256Mx16bit 1,35V 800MHz 13,75ns tavă, AS4C256M16D3LC-12BIN este un circuit integrat de memorie DRAM de la producătorul ALLIANCE MEMORY, proiectat pentru montare SMD. Cu o carcasă FBGA96 și un subtip de ambalaj în tavă, acest IC poate funcționa într-un interval de temperaturi cuprins între -40 și 95°C. Cu o capacitate de memorie de 4GB DRAM și o tensiune de lucru de 1.35V, acesta este un tip de memorie SDRAM cu o frecvență de sincronizare de 800MHz. Organizarea memoriei este de 256Mx16bit, iar timpul de acces este de 13.75ns. Acest IC este ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și o memorie fiabilă.
Detalii ale produsului
180 Produse

Fisa tehnica

Referință 4C256M16D3LC12BIN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru -40...95°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 1,35V
1.35V
Montare SMD
Carcasă FBGA96
memorie 4GB DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie DDR3L
SDRAM
Frecvenţă sincronizare 800MHz
Organizare memorie 256Mx16bit
Timp de acces 13,75ns
13.75ns
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: