Categorii
Tranzistor P-MOSFET TrenchP unipolar -65V -120A 298W 53ns | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP unipolar -65V -120A 298W 53ns | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP unipolar -65V -120A 298W 53ns

IXTH120P065T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
69,72 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -65V -120A 298W 53ns de la IXYS este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice avansate. Acest tranzistor oferă o putere disipată impresionantă de 298W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de -65V. Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de doar 10mΩ, acest tranzistor asigură performanțe excelente într-o varietate de scenarii de utilizare. Cu o montare THT și o carcasă TO247-3, acesta este ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 185nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Cu un timp de restabilire rapid de 53ns și tehnologia inovatoare TrenchP™, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ de la IXYS pentru o soluție electronică de încredere și eficientă.
Detalii ale produsului
60 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTH120P065T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 298W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă -120A
Tensiune drenă-sursă -65V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 10mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 185nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 53ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: