Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
  • Tranzistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
  • Tranzistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3

Tranzistor P-MOSFET IXYS IXTH90P10P -100V 90A 462W TO247-3

IXTH90P10P
Tranzistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
95,38 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET IXYS IXTH90P10P -100V 90A 462W TO247-3 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de IXYS, acest tranzistor P-MOSFET dispune de o tehnologie avansată PolarP™ care asigură o funcționare stabilă și fiabilă.




  • Producător: IXYS

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 462W

  • Montare: THT (Through-Hole Technology)

  • Carcasă: TO247-3

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -90A

  • Tensiune drenă-sursă: -100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 25mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 0,12µC

  • Tip tranzistor: P-MOSFET

  • Timp de restabilire: 144ns

  • Tehnologie: PolarP™



Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale și electronice care necesită comutare rapidă, eficiență energetică și o disipare termică ridicată. Carcasa TO247-3 și montarea THT facilitează integrarea în circuite cu cerințe de putere mare.

Detalii ale produsului
300 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTH90P10P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 462W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă -90A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 25mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,12µC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 144ns
Tehnologie PolarP™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: