Categorii
N-MOSFET Tranzistor 100V 360A 1250W PLUS247™ | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 360A 1250W PLUS247™ | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 360A 1250W PLUS247™ | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 360A 1250W PLUS247™

IXFX360N10T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
104,28 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

36.14 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 360A 1250W PLUS247™ de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile de putere de înaltă performanță. Acest tranzistor este echipat cu o gamă impresionantă de caracteristici care îl fac ideal pentru proiectele tale.

Producător: IXYS
Subtip ambalaj: tub
Montare: THT
Carcasă: PLUS247™
Putere disipată: 1,25kW
Caracteristici elemente semiconductoare: thrench gate power mosfet
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 360A
Tensiune drenă-sursă: 100V
Rezistenţă în timpul funcţionării: 2,9mΩ
Subtip canal: îmbogăţit
Încărcătură poartă: 525nC
Tip tranzistor: N-MOSFET

Cu o putere disipată de 1,25kW, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini exigente fără probleme. Polarizarea unipolară și rezistența redusă în timpul funcționării de 2,9mΩ îl fac extrem de eficient din punct de vedere energetic. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 525nC îl fac ideal pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță.

Indiferent de proiectul tău, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 360A 1250W PLUS247™ de la IXYS este alegerea potrivită pentru a obține rezultate excelente. Alege calitatea și performanța cu acest tranzistor de încredere!
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFX360N10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,25kW
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 360A
Tensiune drenă-sursă 100V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 525nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: