Categorii
Etichete
N-MOSFET Unipolar 60V 200A 200W TO220-3 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 60V 200A 200W TO220-3 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 60V 200A 200W TO220-3 Tranzistor

CSD18542KCS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
22,87 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 200A 200W TO220-3 de la TEXAS INSTRUMENTS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicații care necesită o putere mare și o eficiență excelentă. Acest tranzistor este fabricat de TEXAS INSTRUMENTS, un producător de renume în domeniul electronicelor.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare THT, acest tranzistor are o carcasă TO220-3 durabilă și ușor de instalat. Puterea disipată de 200W și polarizarea unipolară îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un curent de drenaj de 200A și o tensiune drenaj-sursă de 60V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare putere în mod eficient.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 3,3mΩ asigură o performanță excelentă și o funcționare stabilă. Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura portului de 44nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile sensibile la performanță.

Acest tranzistor N-MOSFET de la TEXAS INSTRUMENTS utilizează tehnologia NexFET™, oferind o fiabilitate remarcabilă și o durată lungă de viață. Cu o grosime de radiator de 1,14...1,4mm, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând temperatura optimă de funcționare. Optează pentru tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 200A 200W TO220-3 de la TEXAS INSTRUMENTS pentru performanță de vârf și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
68 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD18542KCS
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 200W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 200A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 44nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Grosime radiator 1,14...1,4mm
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: