Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 127A 250W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 127A 250W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 127A 250W TO220AB

IRFB4310ZPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
31,35 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul INFINEON TECHNOLOGIES N-MOSFET unipolar 100V 127A 250W TO220AB este un produs de înaltă calitate, special conceput pentru a satisface nevoile dumneavoastră în domeniul electronicelor. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, fiind potrivit pentru o gamă largă de aplicații.

Caracteristicile produsului includ:
- Producător: INFINEON TECHNOLOGIES
- Subtip ambalaj: tub
- Montare: THT
- Carcasă: TO220AB
- Putere disipată: 250W
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: 127A
- Tensiune drenă-sursă: 100V
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Rezistență în timpul funcționării: 6mΩ
- Subtip canal: îmbogățit
- Încărcătură poartă: 0,12µC
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: HEXFET®

Cu aceste specificații de încredere, tranzistorul INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice. Beneficiați de performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung, indiferent de aplicația pe care o aveți în minte. Nu lăsați să vă scape această oportunitate de a achiziționa un produs de înaltă calitate, care să vă satisfacă pe deplin cerințele.
Detalii ale produsului
71 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB4310ZPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 127A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,12µC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: