Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 73A 190W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 73A 190W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 73A 190W TO220AB

IRFB4610PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
21,84 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor cu o putere disipată de 190W și o carcasa TO220AB oferă o tensiune drenă-sursă de 100V și un curent drenă de 73A, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.

Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 14mΩ, acest tranzistor asigură o performanță fiabilă și durabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 90nC, ceea ce contribuie la o comutare eficientă a dispozitivului.

Tehnologia HEXFET® asigură o funcționare optimă a tranzistorului, oferind o performanță superioară și o durată lungă de viață. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comandă precisă și fiabilă.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru cei care caută o soluție de înaltă performanță și fiabilitate pentru aplicațiile lor electronice.
Detalii ale produsului
1047 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB4610PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 190W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 73A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 90nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: