Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor cu o putere disipată de 190W și o carcasa TO220AB oferă o tensiune drenă-sursă de 100V și un curent drenă de 73A, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.
Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 14mΩ, acest tranzistor asigură o performanță fiabilă și durabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 90nC, ceea ce contribuie la o comutare eficientă a dispozitivului.
Tehnologia HEXFET® asigură o funcționare optimă a tranzistorului, oferind o performanță superioară și o durată lungă de viață. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comandă precisă și fiabilă.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru cei care caută o soluție de înaltă performanță și fiabilitate pentru aplicațiile lor electronice.