Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A

UJ3C065030T3S
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 62A
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UnitedSiC N-JFET/N-MOSFET SiC unipolar în cascadă 650V 62A, UJ3C065030T3S este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Acest tranzistor se remarcă prin producătorul său de încredere, UnitedSiC, care garantează standarde ridicate de calitate și performanță. Cu o montare simplă de tip THT și o carcasă durabilă TO220-3, acest tranzistor utilizează tehnologia de vârf SiC pentru a oferi rezultate remarcabile.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD protected gate), asigurând o funcționare sigură și fiabilă. Cu o putere disipată impresionantă de 441W, acest tranzistor poate face față sarcinilor intensive fără probleme. De asemenea, curentul de drenă în impuls de 230A și polarizarea unipolară îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu un curent de drenă de 62A și o tensiune drenă-sursă de 650V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de lucru variate. Tensiunea poartă-sursă de ±25V și rezistența în timpul funcționării de 27mΩ îl fac ideal pentru aplicații sensibile la tensiune și curent. Încărcătura poartă de 51nC și tipul de tranzistor N-JFET/N-MOSFET în cascadă completează lista de caracteristici impresionante ale acestui produs inovator.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință UJ3C065030T3S
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 441W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 230A
Polarizare unipolar
Curent drenă 62A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 27mΩ
Încărcătură poartă 51nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: