Tranzistorul N-MOSFET FDmesh™ II unipolar 600V 6,3A 90W, produs de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații în care se cere o putere de disipare de până la 90W. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat în mod tradițional, având o carcasă TO220-3.
Cu o polarizare unipolară, tranzistorul are o capacitate de curent de drenaj de 6,3A și o tensiune drenaj-sursă de 600V, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Tensiunea poartă-sursă este de ±25V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,45Ω.
Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia avansată FDmesh™ II, oferind performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Subtipul canal este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET. Cu aceste caracteristici deosebite, tranzistorul N-MOSFET FDmesh™ II de la STMicroelectronics este alegerea ideală pentru proiectele electronice care necesită o soluție de înaltă calitate.