Categorii
Tranzistor N-MOSFET 200V 300A 1250W IXFX300N20X3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 300A 1250W IXFX300N20X3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 300A 1250W IXFX300N20X3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 300A 1250W IXFX300N20X3

IXFX300N20X3
Tranzistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
235,25 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

68.96 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET X3-Class unipolar 200V 300A 1250W 170ns, IXFX300N20X3 este un produs de înaltă performanță, potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare și o rezistență redusă în timpul funcționării. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, unul dintre cei mai reputați producători din industria electronică.

Cu o putere disipată de 1.25kW, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o polarizare unipolară și un curent de drenaj de până la 300A. Carcasa PLUS247™ și tehnologia X3-Class asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Subtipul de ambalaj tub și subtipul canal îmbogățit fac acest tranzistor ușor de montat și integrat în diferite tipuri de circuite electronice. Tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit utilizarea acestui tranzistor într-o varietate de aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 4mΩ și o încărcătură de poartă de 375nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile și un timp de restabilire rapid de doar 170ns. Alegeți tranzistorul IXYS N-MOSFET X3-Class pentru aplicațiile dvs. cu cerințe ridicate de putere și fiabilitate.
Detalii ale produsului
21 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFX300N20X3
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,25kW
1.25kW
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Polarizare unipolar
Curent drenă 300A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 375nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 170ns
Tehnologie HiPerFET™
X3-Class
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: