Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5A 68W TO247 MICROCHIP

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,7kV 5A 68W TO247 de la MICROCHIP TECHNOLOGY reprezintă o soluție avansată, caracterizată prin performanțe ridicate și durabilitate superioară. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1,7 kV și un curent continuu de drenă de 5A, acest dispozitiv asigură stabilitate și eficiență în aplicații cu cerințe exigente. Puterea disipată de 68W și curentul de drenă în impuls de 12A permit operarea în condiții de sarcină intensă, în timp ce rezistența la funcționare de doar 940 mΩ reduce pierderile și crește eficiența energetică. Ambalajul în tub și montarea THT facilitează integrarea rapidă și fiabilă în sisteme diverse, iar carcasa TO247-3 oferă o disipare termică optimă. Subtipul canalului îmbogățit, polarizarea unipolară și încărcătura poartă de 18nC indică o tehnologie SiC de ultimă generație, care optimizează răspunsul și durabilitatea tranzistorului. Acest N-MOSFET combină tehnologia Silicon Carbide cu un design robust pentru performanțe superioare în medii solicitante.