Categorii
Etichete
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 340W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR

DIF120SIC022-AQ
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
416,62 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

114.39 lei x 4 luni
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicațiile din domeniul auto, oferind performanțe superioare și fiabilitate. Proiectat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor se evidențiază printr-o montare THT și o carcasă robustă TO247-4, asigurând o integrare ușoară în diverse sisteme electronice.

Cu o putere disipată de 340W, acest model este capabil să gestioneze curenți de până la 85A în condiții de funcționare intense, având un curent de drenă în impuls de 250A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate. Tensiunea drenă-sursă de 1,2kV și intervalul de tensiune poartă-sursă de -4...18V oferă flexibilitate în utilizare, iar rezistența în timpul funcționării de 28mΩ asigură eficiență energetică.

Tranzistorul N-MOSFET utilizează tehnologia SiC, care permite o gestionare mai bună a căldurii și o durabilitate crescută. Subtipul canal îmbogățit și caracteristicile elementelor semiconductoare, inclusiv terminalul Kelvin, contribuie la o performanță optimă. Cu o încărcătură poartă de 269nC, acest tranzistor se dovedește a fi o alegere excelentă pentru cei care caută soluții de înaltă performanță în electronică auto. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 85A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru a beneficia de tehnologie de vârf și eficiență maximă!
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIF120SIC022-AQ
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 340W
Utilizare domeniul auto
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 250A
Polarizare unipolar
Curent drenă 85A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 28mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 269nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie

Descarcari (8.16KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: