Categorii
  • Stoc epuizat
Transistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Transistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Transistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Transistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A

UJ3C065030K3S
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 62A
266,55 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

76.80 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UJ3C065030K3S este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță produs de UnitedSiC. Acesta este montat prin tehnologia THT și vine în carcasa TO247-3, oferind o putere disipată de 441W. Tranzistorul are caracteristici elemente semiconductoare protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD) și operează la o tensiune drenă-sursă de 650V, cu o rezistență în timpul funcționării de 30mΩ. Cu un curent de drenă de 62A și un curent de drenă în impuls de 230A, acest tranzistor unipolar este ideal pentru aplicații care necesită o polarizare unipolară. Tensiunea poartă-sursă de ±25V și încărcătura poartă de 51nC asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Tranzistorul UJ3C065030K3S este un N-JFET/N-MOSFET în cascadă, potrivit pentru diverse aplicații electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință UJ3C065030K3S
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 441W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 230A
Polarizare unipolar
Curent drenă 62A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 30mΩ
Încărcătură poartă 51nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: