Categorii
N-MOSFET Polar 300V 140A 1040W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 300V 140A 1040W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 300V 140A 1040W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Polar 300V 140A 1040W TO264

IXFK140N30P
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
172,59 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

53.26 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Polar™ unipolar 300V 140A 1040W TO264 de la IXYS este un dispozitiv puternic și fiabil, ideal pentru aplicații de putere înalte. Cu o putere disipată impresionantă de 1.04kW, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în condiții de funcționare dificile. Carcasa TO264 asigură o montare ușoară și sigură, iar tehnologia Polar™ garantează o funcționare eficientă și durabilă.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 140A, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor grele. Tensiunea drenaj-sursă de 300V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o performanță excelentă și o stabilitate sporită. Rezistența în timpul funcționării de 24mΩ minimizează pierderile de putere, în timp ce subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 185nC optimizează eficiența tranzistorului.

Cu un timp de restabilire rapid de 200ns, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe stricte de timp. Fiind un N-MOSFET, acest dispozitiv oferă performanțe superioare și o fiabilitate ridicată. Cu Tranzistorul N-MOSFET Polar™ unipolar 300V 140A 1040W TO264 de la IXYS, veți beneficia de o soluție puternică și eficientă pentru proiectele dvs. de electronică.
Detalii ale produsului
280 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFK140N30P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,04kW
1.04kW
Montare THT
Carcasă TO264
Polarizare unipolar
Curent drenă 140A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 24mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 185nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: