Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 600V 4.4A 30W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 4.4A 30W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 4.4A 30W TO220FP

STP9NK60ZFP
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,4A; 30W; TO220FP
12,06 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul STMicroelectronics N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W TO220FP este un component de înaltă calitate care oferă performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este ideal pentru montaj pe placa de circuit imprimat, datorită ambalajului său tubular și a tehnologiei THT. Cu o putere disipată de 30W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), asigurând o funcționare fiabilă și durabilă. Polarizarea unipolară oferă o polarizare simplă și eficientă, în timp ce curentul de drenaj de 4,4A și tensiunea drenaj-sursă de 600V fac acest tranzistor potrivit pentru aplicații de putere medie.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și o rezistență în timpul funcționării de 0,95Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de funcționare variate. Subtipul canal îmbogățit și tipul N-MOSFET îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, în timp ce tehnologia SuperMesh™ asigură o funcționare eficientă și fiabilă.

În concluzie, tranzistorul STMicroelectronics N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W TO220FP este alegerea ideală pentru proiectele electronice care necesită un component de înaltă calitate și performanțe remarcabile.
Detalii ale produsului
63 Produse

Fisa tehnica

Referință STP9NK60ZFP
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 30W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 4,4A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,95Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SuperMesh™
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (503.94KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: