Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20,6A; Idm: 62A; 160W
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20,6A; Idm: 62A; 160W
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20,6A; Idm: 62A; 160W

Tranzistor N-MOSFET PanJit 600V 20,6A TO247AD-3 THT unipolar

PJMH190N60E1_T0_00601
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20,6A; Idm: 62A; 160W
40,64 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PanJit 600V 20,6A, ambalat în tub TO247AD-3, este o soluție robustă și performantă pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și gestionare a puterii ridicate. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 600V și un curent de drenă continuu de 20,6A, acest dispozitiv este ideal pentru circuite de alimentare, invertoare și control motoare. Puterea disipată de 160W asigură o operare stabilă în condiții exigente, în timp ce curentul de drenă în impuls de 62A permite gestionarea sarcinilor cu variații rapide de curent. Montarea prin tehnologia THT și carcasa TO247AD-3 facilitează instalarea și disiparea termică eficientă. Tranzistorul dispune de o polarizare unipolară, cu canal îmbogățit, și o rezistență internă de numai 0,18Ω în timpul funcționării, ceea ce optimizează performanța și reduce pierderile. Încărcătura poartă de 40nC și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură un control precis și rapid al comutării. Produsul PanJit Semiconductor garantează fiabilitate și durabilitate pentru proiectele ce necesită componente electronice de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
28 Produse

Fisa tehnica

Referință PJMH190N60E1-T0
Producător PanJit Semiconductor
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 160W
Montare THT
Carcasă TO247AD-3
Curent de drenă în impuls 62A
Polarizare unipolar
Curent drenă 20,6A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,18Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 40nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.