Tranzistorul N-MOSFET PanJit 600V 20,6A, ambalat în tub TO247AD-3, este o soluție robustă și performantă pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și gestionare a puterii ridicate. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 600V și un curent de drenă continuu de 20,6A, acest dispozitiv este ideal pentru circuite de alimentare, invertoare și control motoare. Puterea disipată de 160W asigură o operare stabilă în condiții exigente, în timp ce curentul de drenă în impuls de 62A permite gestionarea sarcinilor cu variații rapide de curent. Montarea prin tehnologia THT și carcasa TO247AD-3 facilitează instalarea și disiparea termică eficientă. Tranzistorul dispune de o polarizare unipolară, cu canal îmbogățit, și o rezistență internă de numai 0,18Ω în timpul funcționării, ceea ce optimizează performanța și reduce pierderile. Încărcătura poartă de 40nC și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură un control precis și rapid al comutării. Produsul PanJit Semiconductor garantează fiabilitate și durabilitate pentru proiectele ce necesită componente electronice de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
28 Produse
Fisa tehnica
Referință
PJMH190N60E1-T0
Producător
PanJit Semiconductor
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
160W
Montare
THT
Carcasă
TO247AD-3
Curent de drenă în impuls
62A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
20,6A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,18Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
40nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.