Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 47A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-3

DIW170SIC049
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
145,30 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

46.42 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR, cu tehnologie SiC, este proiectat pentru performanțe superioare în aplicații ce necesită fiabilitate și eficiență ridicată. Carcasa TO247-3, cu montare THT și ambalaj tip tub, asigură o disipare a puterii de până la 357W, facilitând gestionarea termică optimă. Dispune de un curent de drenă nominal de 47A și un curent de drenă în impuls de 150A, fiind capabil să funcționeze la o tensiune drenă-sursă de 1,7kV. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit garantează o stabilitate excelentă în condiții variate de operare. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 81mΩ, acest tranzistor minimizează pierderile de energie, în timp ce tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V oferă flexibilitate în comanda dispozitivului. Încărcătura poartă de 179nC completează caracteristicile tehnice, făcând acest N-MOSFET o soluție robustă și eficientă pentru cerințe exigente.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIW170SIC049-DIO
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 357W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 150A
Polarizare unipolar
Curent drenă 47A
Tensiune drenă-sursă 1,7kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 81mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 179nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.