Tranzistorul IXFL210N30P3 este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este perfect pentru aplicații care necesită o putere mare de disipare, având o putere maximă de 520W.
Cu o tensiune drenă-sursă de 300V și un curent de drenă de 108A, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, asigurând o eficiență optimă în funcționare. Carcasa ISOPLUS264™ și montarea THT fac din acest tranzistor o alegere fiabilă pentru diverse aplicații.
Subtipul de canal îmbogățit și polarizarea unipolară fac din IXFL210N30P3 o alegere excelentă pentru sistemele care necesită o încărcătură mare de poartă, de până la 268nC. Acest tranzistor N-MOSFET este ambalat într-un tub convenabil, ușor de integrat în diverse configurații.
Cu toate aceste caracteristici de top, tranzistorul IXFL210N30P3 este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită putere și eficiență în același timp. Alegeți performanța și fiabilitatea oferite de acest tranzistor de la IXYS pentru proiectele dumneavoastră electronice.