Categorii
Etichete
N-MOSFET 650V 11.3A 130W Tranzistor Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 650V 11.3A 130W Tranzistor Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 650V 11.3A 130W Tranzistor Unipolar

STP20N65M5
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11,3A; 130W
26,64 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V unipolar 650V 11,3A 130W de la STMicroelectronics este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220-3 și se montează prin găuri pasante (THT), ceea ce îl face ușor de integrat în diverse circuite.

Cu o putere disipată de 130W, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de energie. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD protected gate), asigurând o durată lungă de viață a dispozitivului.

Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 11,3A fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de putere medie și mare. Tensiunea de drenaj-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±25V permit utilizarea acestuia într-o varietate de circuite.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,19Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de încărcare mare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar tehnologia MDmesh™ V asigură o funcționare stabilă și eficientă.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și fiabilitate. Acesta oferă performanțe superioare și durabilitate pe termen lung, fiind un component electronic de încredere pentru proiectele tale.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință STP20N65M5
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 130W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 11,3A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,19Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ V
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (1.14MB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: