Categorii
Tranzistor N-MOSFET 280V 17A 79W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 280V 17A 79W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 280V 17A 79W

P17F28HP2-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 17A; Idm: 68A; 79W
9,74 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 280V 17A Idm: 68A 79W de la producătorul SHINDENGEN este un component electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații. Acest tranzistor este ambalat în vrac și se montează prin tehnica THT, având o carcasă de tip FTO-220AG (SC91). Cu o putere disipată de 79W și un curent de drenă în impuls de 68A, acesta asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 17A îl fac potrivit pentru diverse circuite electronice. Tensiunea drenă-sursă de 280V și tensiunea poartă-sursă de ±30V îl fac compatibil cu diferite aplicații. Rezistența în timpul funcționării de 0,23Ω și subtipul canal îmbogățit îl fac ideal pentru proiecte care necesită o performanță superioară. Cu o încărcătură poartă de 19,5nC, este proiectat pentru a oferi rezultate precise și constante. Acest tranzistor N-MOSFET de tip Hi-PotMOS2 este o alegere excelentă pentru cei care caută un component electronic de calitate superioară.
Detalii ale produsului
73 Produse

Fisa tehnica

Referință P17F28HP2-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 79W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 68A
Polarizare unipolar
Curent drenă 17A
Tensiune drenă-sursă 280V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,23Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 19,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: