Categorii
Etichete
  • Nou

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTP6412ANG 100V 58A 167W TO220-3

NTP6412ANG
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 240A; 167W; TO220-3
22,13 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTP6412ANG 100V 58A 167W TO220-3 este componenta ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET unipolar cu canal îmbogățit oferă o putere disipată de 167W și un curent de drenă continuu de 58A, fiind potrivit pentru circuite cu cerințe mari de curent.




  • Producător: ONSEMI

  • Putere disipată: 167W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO220-3

  • Curent de drenă în impuls: 240A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 58A

  • Tensiune drenă-sursă: 100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 18,2mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 73nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET



Datorită carcasei TO220-3 și montării THT, tranzistorul este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Rezistența scăzută în timpul funcționării asigură eficiență energetică și disipare termică optimă. Este alegerea perfectă pentru aplicații industriale, surse de alimentare și circuite de comutație.

Detalii ale produsului
100 Produse

Fisa tehnica

Referință NTP6412ANG
Producător ONSEMI
Putere disipată 167W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Curent de drenă în impuls 240A
Polarizare unipolar
Curent drenă 58A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 18,2mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 73nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
337 produse asociate: