Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Cu o putere disipată de 150W și un curent de drenă în impuls de 160A, acest tranzistor este potrivit pentru utilizări în care se cere o disipare eficientă a căldurii și o capacitate de comutare rapidă.
Carcasa TO3 asigură o montare ușoară și o durabilitate sporită, fiind ideal pentru aplicații care necesită rezistență la factorii externi. Cu un curent de drenă de 25A și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un interval larg de aplicații.
Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații sensibile la polaritate și tensiune. Rezistența în timpul funcționării de 80mΩ și subtipul canal îmbogățit garantează o funcționare fiabilă și eficientă în diverse condiții de utilizare.
Cu tipul de tranzistor N-MOSFET, acest component este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o eficiență energetică ridicată. Indiferent de cerințele proiectului dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics este alegerea ideală pentru performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
NTE2392 |
Producător |
NTE Electronics |
Putere disipată |
150W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO3 |
Curent de drenă în impuls |
160A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
25A |
Tensiune drenă-sursă |
100V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
80mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari