Categorii
Tranzistor MOSFET IRF540N PBF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET IRF540N PBF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET IRF540N PBF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET IRF540N PBF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET IRF540N PBF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET IRF540N PBF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor MOSFET IRF540N PBF

IRF540NPBF

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB

10,71 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IRF540NPBF este produs de INFINEON TECHNOLOGIES și este ideal pentru montarea pe plăci cu tehnologie THT. Cu o carcasă TO220AB, acest tranzistor are o putere disipată de 140W, fiind potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor N-MOSFET îl face ușor de integrat în diferite circuite. Cu un curent de drenă de 33A și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor poate gestiona sarcini semnificative. Tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă, iar rezistența în timpul funcționării de 44mΩ ajută la minimizarea pierderilor de putere. Cu o încărcătură poartă de 48nC, acest tranzistor oferă performanțe fiabile în diverse aplicații. Tehnologia HEXFET® îmbunătățește eficiența și fiabilitatea acestui tranzistor, făcându-l alegerea perfectă pentru proiectele electronice.
Detalii ale produsului
709 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF540NPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 140W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 33A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ
Încărcătură poartă 48nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: