Categorii
Etichete
N-MOSFET Tranzistor 40V 67A 83W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 40V 67A 83W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 40V 67A 83W TO220AB

IRF40B207
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
5,35 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 67A 83W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Cu o putere disipată de 83W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de curent de până la 67A. Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acesta oferă o performanță excelentă în diverse aplicații.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar rezistența în timpul funcționării este de 4,5mΩ, ceea ce asigură o eficiență ridicată în funcționare. Cu o încărcătură poartă de 45nC, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații sensibile la comutare rapidă. Tehnologia HEXFET® asigură o funcționare fiabilă și performanțe superioare în diverse condiții de mediu.

Cu o montare THT și o carcasă TO220AB, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite proiecte electronice. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru aplicații specifice în care este necesar un control precis al semnalului. Alegeți tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru o performanță excelentă și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
55 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF40B207
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 83W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 67A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 45nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (536.03KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: