Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 100V 130A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 130A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 130A 370W TO220AB

IRFB4110GPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar cu o tensiune nominală de 100V și o curent de 130A oferă performanțe remarcabile în aplicațiile tale electronice. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor în TO220AB este montat prin găurire și poate disipa o putere de până la 370W. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor se remarcă prin rezistența sa redusă în timpul funcționării de 4,5mΩ. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 150nC. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar tehnologia utilizată este HEXFET®, garantând performanțe superioare și fiabilitate în utilizare. Alege Tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru aplicațiile tale de putere și bucură-te de performanțe excelente.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRFB4110GPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 370W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 130A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 150nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: