Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicelor. Acest tranzistor dispune de o putere disipată impresionantă de 214W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 30A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.
Carcasa TO247AD oferă o montare simplă și sigură, iar rezistența redusă în timpul funcționării de 75mΩ asigură o eficiență optimă a dispozitivului. Tensiunea drenaj-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o funcționare stabilă și fiabilă într-o varietate de aplicații. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 123nC optimizează performanța tranzistorului în condiții de funcționare variate.
Acest tranzistor N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este fabricat conform tehnologiei HEXFET®, ceea ce garantează o calitate superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu un subtip de ambalaj în tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Alegeți performanța și fiabilitatea cu tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES!