Categorii
  • Nou

EVERLIGHT Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 110A TO247-4-TSC THT

EL-MAKR0365XA-TC
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 110A; Idm: 220A; 490W
108,79 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

37.28 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EVERLIGHT SiC 650V 110A, ambalat în tub cu carcasă TO247-4-TSC, oferă performanțe superioare datorită tehnologiei Silicon Carbide (SiC) și designului avansat SMD Top Side Cooling cu terminal Kelvin. Cu o putere disipată de 490W și curent de drenă continuu de 110A, acest dispozitiv unipolar îmbogățit suportă impulsuri de curent de până la 220A, asigurând o eficiență ridicată și stabilitate termică optimă. Tensiunea maximă drenă-sursă este de 650V, iar intervalul de tensiune poartă-sursă variază între -5V și 18V. Rezistența în timpul funcționării este redusă la 25mΩ, ceea ce minimizează pierderile de energie. Încărcătura poartă de 240nC facilitează comutarea rapidă, iar montajul THT asigură o instalare robustă. Acest tranzistor N-MOSFET EVERLIGHT este soluția ideală pentru circuite ce necesită performanță ridicată și fiabilitate.
Detalii ale produsului
9 Produse

Fisa tehnica

Referință EL-MAKR0365XA-TC
Producător EVERLIGHT
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 490W
Montare THT
Carcasă TO247-4-TSC
Caracteristici elemente semiconductoare SMD Top Side Cooling
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 220A
Polarizare unipolar
Curent drenă 110A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă -5...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 25mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 240nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.