Categorii
Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 120A 1040W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 120A 1040W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 120A 1040W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 120A 1040W

IXTX120P20T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
194,81 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

58.82 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IXTX120P20T este un dispozitiv puternic și eficient, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor P-MOSFET TrenchP™ unipolar oferă o putere de disipare impresionantă de 1.04kW, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de mare putere.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -200V, acest tranzistor asigură performanțe fiabile și consistente într-o varietate de scenarii de funcționare. Tehnologia TrenchP™ oferă o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 30mΩ, ceea ce se traduce printr-o eficiență sporită și o dispersie termică redusă.

Tranzistorul IXTX120P20T este montat în carcasă PLUS247™ și are un subtip de ambalaj sub formă de tub, facilitând integrarea sa în diverse aplicații. Cu o tensiune poartă-sursă de ±15V și o încărcătură de poartă de 740nC, acest tranzistor oferă un control precis și fiabil al curentului.

Datorită timpului de restabilire rapid de doar 300ns și subtipului de canal îmbogățit, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații sensibile la timp și necesită un control precis al comutării. Cu o polarizare unipolară și o curent de drenaj de -120A, tranzistorul IXYS IXTX120P20T este alegerea ideală pentru aplicații de mare putere și performanță.
Detalii ale produsului
28 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTX120P20T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,04kW
1.04kW
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Polarizare unipolar
Curent drenă -120A
Tensiune drenă-sursă -200V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 30mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 740nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: