Categorii
P-MOSFET Tranzistor -200V -6.8A 125W TO220 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Tranzistor -200V -6.8A 125W TO220 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Tranzistor -200V -6.8A 125W TO220

NTE2373
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W; TO220
71,79 lei
Ultimele produse
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -200V -6,8A Idm: -44A 125W TO220 de la NTE Electronics este un dispozitiv de încredere, ideal pentru aplicații electronice complexe. Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în diverse medii de lucru. Montarea sa prin găurire pe placă (THT) este simplă și eficientă, iar carcasa TO220 asigură o disipare eficientă a căldurii.

Cu un curent de drenare în impuls de -44A și un curent de drenare continuu de -6,8A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari fără efort. Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de -200V îl fac potrivit pentru aplicații de comutare și amplificare. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența sa de funcționare de 0,5Ω îl fac versatil și ușor de integrat în proiectele dvs.

Cu un subtip de canal îmbunătățit și tipul P-MOSFET, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Indiferent de aplicația dumneavoastră, Tranzistorul P-MOSFET unipolar -200V -6,8A Idm: -44A 125W TO220 de la NTE Electronics este alegerea perfectă pentru nevoile dvs. electronice.
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință NTE2373
Producător NTE Electronics
Putere disipată 125W
Montare THT
Carcasă TO220
Curent de drenă în impuls -44A
Polarizare unipolar
Curent drenă -6,8A
Tensiune drenă-sursă -200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
348 produse asociate: