Tranzistorul P-MOSFET unipolar -200V -6,8A Idm: -44A 125W TO220 de la NTE Electronics este un dispozitiv de încredere, ideal pentru aplicații electronice complexe. Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în diverse medii de lucru. Montarea sa prin găurire pe placă (THT) este simplă și eficientă, iar carcasa TO220 asigură o disipare eficientă a căldurii.
Cu un curent de drenare în impuls de -44A și un curent de drenare continuu de -6,8A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari fără efort. Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de -200V îl fac potrivit pentru aplicații de comutare și amplificare. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența sa de funcționare de 0,5Ω îl fac versatil și ușor de integrat în proiectele dvs.
Cu un subtip de canal îmbunătățit și tipul P-MOSFET, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Indiferent de aplicația dumneavoastră, Tranzistorul P-MOSFET unipolar -200V -6,8A Idm: -44A 125W TO220 de la NTE Electronics este alegerea perfectă pentru nevoile dvs. electronice.