Categorii
Tranzistor N-MOSFET 200V 156A 600W ISOPLUS247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 156A 600W ISOPLUS247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 156A 600W ISOPLUS247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 156A 600W ISOPLUS247

IXFR230N20T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
224,58 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

66.28 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXFR230N20T este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat de IXYS pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest dispozitiv impresionant este montat în tehnologia THT și încapsulat în carcasă ISOPLUS247™, oferind o soluție fiabilă și durabilă pentru sistemele electronice complexe.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o putere disipată impresionantă de 600W, o polarizare unipolară și un curent de drenă de 156A. Cu o tensiune drenă-sursă de 200V și o rezistență în timpul funcționării de doar 8mΩ, acest N-MOSFET asigură performanțe excelente și eficiență sporită în aplicațiile tale.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura la poartă este de 358nC, ceea ce face acest tranzistor ideal pentru aplicații de comutare de înaltă frecvență. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, de la surse de alimentare la controlul motorului.

Dacă cauți un tranzistor puternic și fiabil pentru proiectele tale electronice, Tranzistorul IXFR230N20T de la IXYS este alegerea perfectă. Fiind un lider în industria electronică, IXYS garantează calitatea și performanța acestui produs exceptional. Alege Tranzistorul IXFR230N20T pentru rezultate remarcabile în proiectele tale electronice!
Detalii ale produsului
13 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFR230N20T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 600W
Montare THT
Carcasă ISOPLUS247™
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 156A
Tensiune drenă-sursă 200V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 358nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: