N-MOSFET WMOS™ F2 Unipolar 600V 60A de la Wayo reprezintă soluția ideală pentru cei care caută un tranzistor de putere unipolar fiabil și performant. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă de 60A, acest tranzistor este proiectat să facă față celor mai exigente aplicații industriale și comerciale. Tehnologia avansată WMOS™ F2 asigură o eficiență crescută, cu o rezistență în timpul funcționării de doar 25,5mΩ, ceea ce reduce pierderile de energie și îmbunătățește performanța generală.
Carcasa TO247-3 permite o montare THT ușoară, iar subtipul ambalajului în tub asigură o protecție optimă. Cu o putere disipată de 460W și un curent de drenă în impuls de până la 350A, acest N-MOSFET oferă o stabilitate excepțională în condiții de funcționare variate. Polarizarea unipolară și încărcătura poartă de 174nC fac din acest produs o alegere versatilă pentru aplicații de control al puterii, amplificare sau comutare rapidă.
Alege N-MOSFET WMOS™ F2 de la Wayo pentru un partener de încredere în proiectele tale electronice, beneficiind de tehnologie de vârf și performanțe remarcabile.
Detalii ale produsului
30 Produse
Fisa tehnica
Referință
WMJ99N60F2-CYG
Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
460W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
350A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
60A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
25,5mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
174nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ F2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.