Categorii
N-MOSFET Polar 100V 300A 1500W IXFB300N10P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 100V 300A 1500W IXFB300N10P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 100V 300A 1500W IXFB300N10P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Polar 100V 300A 1500W IXFB300N10P

IXFB300N10P
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
221,66 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

65.55 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXFB300N10P este un N-MOSFET puternic, proiectat de către producătorul de renume IXYS. Acesta este montat în tehnologia PLUS264™, având o putere disipată impresionantă de 1.5kW. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de 300A, acest tranzistor oferă performanțe de vârf în aplicațiile tale electronice.

Carcasa tubulară a acestui tranzistor îl face ușor de montat, iar subtipul canalului îmbogățit îi conferă o rezistență în timpul funcționării de doar 5.5mΩ. Tensiunea drenă-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și eficientă a dispozitivului.

Cu o încărcătură de poartă de 279nC și un timp de restabilire rapid de 200ns, acest N-MOSFET este perfect pentru aplicațiile care necesită comutare rapidă și fiabilitate. Alege Tranzistorul IXFB300N10P pentru performanțe de top în proiectele tale electronice!
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință IXFB300N10P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,5kW
1.5kW
Montare THT
Carcasă PLUS264™
Polarizare unipolar
Curent drenă 300A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,5mΩ
5.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 279nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: