Categorii
Etichete
N-MOSFET Tranzistor 100V 130A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 130A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 130A 370W TO220AB

IRFB4110PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
20,69 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 130A 370W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de încredere, perfect pentru aplicațiile tale electronice. Acest tranzistor vine într-un ambalaj tub și poate fi montat folosind tehnologia THT. Cu o putere disipată de 370W, este ideal pentru a gestiona sarcini de curent mare. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 130A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Tensiunea drenaj-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării de 4,5mΩ și subtipul canal îmbogățit îl fac o alegere excelentă pentru proiectele tale. Cu o încărcătură de poartă de 150nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile.

Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES are un tip HEXFET®, ceea ce îl face să se remarce în industrie. Fiind un produs de la un producător de încredere, poți avea încredere că acest tranzistor va satisface cerințele tale. Alege calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate!
Detalii ale produsului
852 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB4110PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 370W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 130A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 150nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (278.83KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: