Tranzistorul IXTH16N10D2 este un N-MOSFET unipolar puternic, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Cu o putere disipată impresionantă de 830W, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de mare putere. Carcasa TO247-3 asigură o montare simplă și sigură, iar subtipul de ambalaj tub oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o curent drenă de 16A și o tensiune drenă-sursă de 100V, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Rezistența în timpul funcționării de 64mΩ și subtipul canal sărăcit îl fac extrem de eficient din punct de vedere energetic. Timpul de restabilire rapid de 940ns asigură o performanță fiabilă și rapidă în aplicațiile dumneavoastră. Cu Tranzistorul IXTH16N10D2 de la IXYS, veți beneficia de calitate și fiabilitate superioare pentru proiectele dumneavoastră electronice.