Categorii
N-MOSFET Tranzistor 600V 82A 1560W IXFB82N60Q3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 600V 82A 1560W IXFB82N60Q3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 600V 82A 1560W IXFB82N60Q3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 600V 82A 1560W IXFB82N60Q3

IXFB82N60Q3
Tranzistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
102,28 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

35.64 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXFB82N60Q3 este un dispozitiv puternic, proiectat de către producătorul de renume IXYS. Acesta este montat utilizând tehnologia THT și este încapsulat în carcasa PLUS264™, asigurând o durabilitate și eficiență remarcabile.

Fiind un tranzistor unipolar N-MOSFET din clasa Q3, acesta poate disipa o putere de până la 1.56kW, fiind ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 600V, acest tranzistor poate suporta curent drenă de până la 82A, fiind extrem de fiabil în utilizare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 75mΩ, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fără probleme. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 275nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații complexe și solicitante. Timpul de restabilire de 300ns asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.

În concluzie, tranzistorul IXFB82N60Q3 de la IXYS este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită un dispozitiv puternic, eficient și fiabil. Cu caracteristici remarcabile și performanțe excelente, acest tranzistor este soluția perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
19 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFB82N60Q3
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,56kW
1.56kW
Montare THT
Carcasă PLUS264™
Polarizare unipolar
Curent drenă 82A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 275nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie HiPerFET™
Q3-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: