Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 150W

STP24N60M2
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
28,21 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ Plus unipolar 600V 12A 150W de la STMicroelectronics este un dispozitiv de semiconductori puternic și fiabil, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o performanță excelentă. Acest tranzistor beneficiază de o serie de caracteristici remarcabile, precum protecția împotriva electrostatică a porții, o polarizare unipolară, o tensiune drenă-sursă de 600V și o curent drenă de 12A.

Carcasa TO220-3 și tehnologia MDmesh™ asigură o disipare eficientă a puterii de până la 150W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,19Ω, acest tranzistor N-MOSFET oferă o performanță excelentă și o fiabilitate de neegalat.

Datorită subtipului de canal îmbogățit și tensiunii poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor este perfect pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalului. În plus, montarea THT și ambalajul sub formă de tub fac instalarea și integrarea acestui tranzistor în proiectele dvs. o sarcină simplă și rapidă.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ Plus unipolar 600V 12A 150W de la STMicroelectronics este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o putere mare, o performanță excelentă și o fiabilitate de încredere. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate și bucurați-vă de rezultate remarcabile în aplicațiile dvs. electronice.
Detalii ale produsului
10 Produse

Fisa tehnica

Referință STP24N60M2
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 12A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,19Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (1.52MB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: