Categorii
Tranzistor N-MOSFET 40V 147A 208W TO262 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 40V 147A 208W TO262 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 40V 147A 208W TO262

IRFSL7440PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
10,95 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar cu o tensiune de 40V și o curent de drenă de 147A este un produs de înaltă performanță dezvoltat de INFINEON TECHNOLOGIES. Cu o putere disipată de 208W și o rezistență în timpul funcționării de doar 2,5mΩ, acest tranzistor se remarcă prin eficiența sa remarcabilă.

Carcasa TO262 asigură o montare ușoară și durabilitate pe termen lung. Cu un curent de drenă în impuls de 772A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță ridicată și o fiabilitate excelentă. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru diverse aplicații electronice.

Tehnologia HEXFET® aduce un plus de fiabilitate și performanță în funcționarea acestui tranzistor. Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o gamă largă de aplicații posibile. Experimentați puterea și eficiența Tranzistorului N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru proiectele dvs. electronice inovatoare.
Detalii ale produsului
101 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFSL7440PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 208W
Montare THT
Carcasă TO262
Curent de drenă în impuls 772A
Polarizare unipolar
Curent drenă 147A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: