Tranzistorul N-MOSFET unipolar cu o tensiune de 40V și o curent de drenă de 147A este un produs de înaltă performanță dezvoltat de INFINEON TECHNOLOGIES. Cu o putere disipată de 208W și o rezistență în timpul funcționării de doar 2,5mΩ, acest tranzistor se remarcă prin eficiența sa remarcabilă.
Carcasa TO262 asigură o montare ușoară și durabilitate pe termen lung. Cu un curent de drenă în impuls de 772A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță ridicată și o fiabilitate excelentă. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru diverse aplicații electronice.
Tehnologia HEXFET® aduce un plus de fiabilitate și performanță în funcționarea acestui tranzistor. Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o gamă largă de aplicații posibile. Experimentați puterea și eficiența Tranzistorului N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru proiectele dvs. electronice inovatoare.
Detalii ale produsului
101 Produse
Fisa tehnica
Referință
IRFSL7440PBF
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
208W
Montare
THT
Carcasă
TO262
Curent de drenă în impuls
772A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
147A
Tensiune drenă-sursă
40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,5mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.