Categorii
N-MOSFET Tranzistor 800V 3,1A 37W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 3,1A 37W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 800V 3,1A 37W TO220-3

IPP80R1K2P7XKSA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,1A; 37W; PG-TO220-3
15,81 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 3,1A 37W PG-TO220-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub durabil și poate fi montat cu ușurință utilizând tehnologia THT. Carcasa sa PG-TO220-3 asigură o dispersie eficientă a căldurii, permitând o putere disipată de până la 37W.

Cu caracteristici avansate ale elementelor semiconductoare, cum ar fi poarta protejată ESD și polarizarea unipolară, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 1,2Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 11nC, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o tensiune drenă-sursă de 800V, curent drenă de 3,1A și tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru proiectele care necesită o comutare eficientă și fiabilă. Tehnologia de ultimă generație CoolMOS™ P7 îmbunătățește performanța și eficiența energetică a dispozitivului.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 3,1A 37W PG-TO220-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru cei care caută un dispozitiv de comutare de înaltă calitate, cu caracteristici avansate și fiabilitate remarcabilă.
Detalii ale produsului
335 Produse

Fisa tehnica

Referință IPP80R1K2P7
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 37W
Montare THT
Carcasă PG-TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,1A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 11nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie CoolMOS™ P7
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: