Categorii
Tranzistor N-MOSFET 60V 55A 44W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 55A 44W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 55A 44W

P55F6EN-5600
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 55A; Idm: 220A; 44W
12,50 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS2 unipolar 60V 55A Idm: 220A 44W de la producătorul SHINDENGEN este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a puterii. Acest tranzistor vine într-un ambalaj în vrac și poate fi montat cu ajutorul tehnologiei THT.

Carcasa FTO-220AG (SC91) oferă o protecție fiabilă împotriva factorilor externi, asigurând o funcționare stabilă în diverse medii. Cu o putere disipată de 44W, acest tranzistor poate gestiona curentul de drenă în impuls de până la 220A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 55A fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații în care eficiența și fiabilitatea sunt esențiale. Tensiunea drenă-sursă de 60V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare optimă în diverse condiții de lucru.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 5,5mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente în ceea ce privește conducerea curentului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 73nC completează caracteristicile deosebite ale acestui tranzistor N-MOSFET.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET EETMOS2 unipolar 60V 55A Idm: 220A 44W de la SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită un component electronic fiabil, performant și eficient din punct de vedere energetic.
Detalii ale produsului
45 Produse

Fisa tehnica

Referință P55F6EN-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 44W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 220A
Polarizare unipolar
Curent drenă 55A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 73nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie EETMOS2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: